IT之家12月31日消息，韩媒ETNews昨日报道指出，三星电子将在明年积极推动HBM内存制造能力的提升，理论产能将从当前的每月约17万片增加到每月约25万片，增幅近五成。

报道指出，三星将其投资重心集中于最新的HBM4上，计划实现HBM扩产的方法是将现有DRAM产能转换为HBM生产，同时在平泽P4晶圆厂集群中新建产线。

由于三星电子的 HBM3 和 HBM3E 产品在初始阶段未能满足市场预期，竞争对手的产品性能相对较强，导致三星在 HBM领域的市场占有率在今年初出现了极速下滑的趋势。这使得三星的 HBM 生产线在很长一段时间内无法实现满载运行。

自2025年下半年起，三星电子在高带宽记忆体（HBM）领域接连收获好消息：HBM3E和HBM4样品在英伟达、博通、AMD三大客户的测试认证中展现出优异的表现，确保了2026年的订单。